Радиодетали Сервис
Топ «Где купить?»
навигацияЧип и Дип
прочитано 21042 раз
навигацияТом-Электрон
прочитано 10422 раз
навигацияСириус Телеком
прочитано 9877 раз
навигацияТриггер
прочитано 9651 раз
навигацияТритон
прочитано 8342 раз
навигацияChipster
прочитано 7986 раз
Радиодетали из Китая

CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

07.03.13

CAS100H12AM1Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.

К преимуществам можно отнести:

  • Очень малые потери (RDS(on) - 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
  • Нулевой обратный ток восстановления диодов;
  • Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
  • Возможность работы на высоких частотах;
  • Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
  • Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.



источник  www.compel.ru Перейти к обзору


Опубликовано 07.03.13

 
Кнопки поделиться

 

 

Купить в СПБ
Новые обзоры
Комментарии
02.09.20 • Отличный магазин, помогли заказать нужную деталь и привезли быстро после оплаты. Спасибо! >>>
05.08.20 • Хороший магазин, большой ассортимент товара! С доставкой проблем не возникло, все пришло вовремя и качественно >>>
Хостинг для сайта
spaceweb

tmweb
Радиодетали Сервис © 2012-2020 
Сайт сделан на SiNG cms © 2010-2020