Радиодетали  Сервис

Топ «Где купить?»
навигацияЧип и Дип
прочитано 13165 раз
навигацияМега-Электроника
прочитано 10450 раз
навигацияТом-Электрон
прочитано 7249 раз
навигацияСириус Телеком
прочитано 6464 раз
навигацияТритон
прочитано 6193 раз
навигацияТриггер
прочитано 5992 раз
 
 

Новости :: Новости компаний

CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

07.03.13

CAS100H12AM1Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.

К преимуществам можно отнести:

  • Очень малые потери (RDS(on) - 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
  • Нулевой обратный ток восстановления диодов;
  • Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
  • Возможность работы на высоких частотах;
  • Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
  • Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.



источник  www.compel.ru Перейти к обзору


Опубликовано 07.03.13

 
Радиодетали Сервис © 2012-2017 

LiveInternet Openstat.gif
 
Сайт управляется SiNG cms © 2010-2017