07.03.13
Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.
К преимуществам можно отнести:
- Очень малые потери (RDS(on) - 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
- Нулевой обратный ток восстановления диодов;
- Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
- Возможность работы на высоких частотах;
- Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
- Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).
MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.
Главная
