Расширяя свое семейство передовых микросхем управления питанием для приложений сбора энергии, бельгийская компания E-peas анонсировала два новых устройства. В микросхемах управления сбором радиочастотной, вибрационной (AEM30330) и солнечной энергии (AEM10330) используется понижающе-повышающая архитектура. Это позволяет им охватывать более широкий диапазон уровней входного напряжения (от 100 мВ до 4.5 В), а это означает, что новые приборы могут работать с источниками как низкой, так и высокой мощности. AEM30330 предназначена для извлечения высокочастотной энергии и энергии вибрации в промышленном оборудовании, системах домашней автоматизации, устройствах мониторинга здоровья и бытовой технике, тогда как микросхема AEM10330 разрабатывалась специально для поддержки солнечных источников энергии (с возможностью подключения до 7 фотогальванических элементов).
Новые микросхемы управления питанием обеспечивают максимальный ток 60 мА, позволяя быстро заряжать накопительные элементы, такие, например, как суперконденсаторы. Заложенные в устройства возможности адаптивного управления энергией позволяют им при необходимости автоматически переключаться между повышающими, повышающе-понижающими и понижающими рабочими конфигурациями. Это гарантирует, что между соответствующими входами и выходами этих устройств всегда будет поддерживаться оптимальный уровень передачи энергии.
Другим ключевым аспектом является порог холодного запуска, при котором система на основе AEM30330/AEM10330 может начать потребление энергии из окружающей среды. Он был снижен до 275 мВ/3 мкВт, что является существенным улучшением по сравнению с аналогами предыдущего поколения и не имеет себе равных среди всех других решений, представленных в настоящее время на рынке.
Используя полностью конфигурируемую функцию отслеживания точки максимальной мощности (MPPT), AEM30330 и AEM10330 могут постоянно контролировать и регулировать входные напряжение и ток (с поддерживаемым периодом обновления 20 мс), поэтому эффективность извлечения энергии сохраняется на максимально высоком уровне, независимо от изменений входного сигнала источника. Диапазон рабочих температур новых микорсхем составляет от –40 °C до 125 °C. Они поставляются в 40-контактных корпусах QFN и требуют минимального количества дополнительных пассивных компонентов. Поэтому законченное решение будет недорогим и не займет много места на плате. В микросхемах реализованы механизмы защиты от перезаряда и глубокого разряда накопительного элемента.
|
