Новости :: Новости компаний

Новые транзисторы IGBT TRENCHSTOP™5 с рабочим напряжением 650В

28.11.2012 00:08

Компания Infineon Technologies представила поколение IGBT транзисторов на основе более тонкой Si подложки (50 мкм), изготовленных по новой технологии TRENCHSTOPTM 5. Эта технология позволяет значительно снизить потери проводимости и коммутации по сравнению с существующими на данный момент технологиями. За счет увеличенного рабочего напряжения 650В, обеспечивается больший запас прочности.

По технологии TRENCHSTOP^TM 5 выпускаются два семейства:

HighSpeed 5 (H5) - быстрые с мягким переключением (soft high speed) IGBT, разработанные в качестве простой и быстрой (plug-and-play) замены существующих HighSpeed (H3) IGBT транзисторов.
HighSpeed 5 FAST (F5) - наиболее эффективные IGBT (например, к.п.д. фотогальванического инвертора с топологией «полный мост» ("H4 bridge") достигла 98%).

Характеристики:

рабочее напряжение 650В;
в 2,5 раза меньший заряд затвора Q _g, в 2 меньше потери при коммутации и на 200мВ меньше напряжение насыщения V _CE₍_sat₎ по сравнению с семейством HighSpeed 3;
быстрый обратный кремниевый диод;
низкое соотношение C _oss/E _oss;
небольшой положительный температурный коэффициент V _CE₍_sat₎;
температурная стабильность прямого напряжения на обратном диоде V_f .

Преимущества:

Лучшая в своем классе эффективность, что дает более низкую температуру переход-корпус и большую надежность устройства.
Увеличение рабочего напряжения на 50В без потери надежности системы.
Высокая плотность мощности.

Применение

корректоры коэффициента мощности
инверторы сварочного оборудования,
источники бесперебойного питания,
солнечная энергетика.

источник www.efo.ru

Перейти к обзору