06.01.13
STPSC2006CW – сборка из двух диодов Шоттки компании STMicroelectronics, рассчитанных на 600 В и производимых по карбид-кремниевой (SiC) технологии. Диоды обладают малым временем восстановления и минимальными выбросами при переходных процессах, причем эти характеристики остаются стабильными во всем диапазоне рабочих температур. Благодаря большой ширине запрещенной зоны, у силового выпрямительного SiC-диода практически отсутствуют обратные токи при комнатной температуре. Высокая плотность мощности – второе преимущество SiC диодов над обычными кремниевыми диодами. Использование SiC-диодов в составе импульсного преобразователя позволяет увеличить его КПД на 0,5…1%, особенно при малых нагрузках и высоких частотах преобразования.
Отличительные особенности:
- Количество диодов в корпусе: 2;
- Схема включения диодов с общим катодом;
- Максимальное обратное напряжение диода: 600 В;
- Прямое падение напряжения: 1,4 В;
- Средний прямой ток диода: 10 А;
- Время обратного восстановления диода: ~0 нс;
- Обратный ток диода: ~0 А;
- Емкость перехода: 650 пФ;
- Рабочая температура: -40…+175 °C;
- Корпус: TO-247-3.
Главная