20.05.13
Компания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ - новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном PowerPAK SC-75 1.6х1.6 мм и PowerPAK SC-70 2х2 мм с сопротивлением открытого канала менее 200 мОм и 100 мОм, соответственно.
Основные преимущества:
- Сопротивление до 83 мОм при 10 В приводит к снижению потерь проводимости, что уменьшает энергопотребление и увеличивает эффективность;
- Ультра-компактные корпуса 1.6х1.6 мм PowerPAK SC-75 и 2х2 мм PowerPAK SC-70 позволяют экономить место на печатной плате;
- Низкое сопротивление и заряд затвора. Ключевой показатель (FOM) – до 455 мОм-нК при 4.5 В;
- Сопротивление в диапазоне до 4.5 В упрощает управление затвором;
Новые MOSFET могут найти свое применение в повышающих преобразователях, DC/AC инверторах малой мощности и в миниатюрных DC/DC преобразователях для телекоммуникаций, POL приложениях и для светодиодного освещения в портативной технике.
| Параметры |
SiB456DK-T1-GE3 |
SiA416DJ –T1-GE3 |
| VDS (В) |
100 |
100 |
| VGS (В) |
20 |
20 |
| RDS(ON) (мОм) |
@ 10 В |
185 |
83 |
| |
@ 4.5 В |
310 |
130 |
| FOM (мОм-нК) |
@ 10 В |
611 |
540 |
| |
@ 4.5 В |
558 |
455 |
| Корпус |
PowerPAK SC-75 |
PowerPAK SC-70 |
Главная
