 Новый силовой 900В/18.5А N-канальный MOSFET транзистор STP21N90K5 является уникальной разработкой компании «STMicroelectronics», созданной по современной технологии «SuperMESH™ 5». Новая революционная технология базируется на вертикальной структуре транзистора и позволила выпустить MOSFET в корпусе ТО-220 с лучшим в мире сопротивлением открытого канала для максимального рабочего напряжения сток-исток 900 В.
Благодаря малому сопротивлению Rds(on), типовое значение которого составляет всего лишь 0.25 Ом (при напряжении на затворе 10В), и ультранизкому заряду затвора, транзистор STP21N90K5 может быть использован в устройствах, которые требуют большой плотности мощности и высокой эффективности. Типовое назначение нового транзистора – это различные мощные преобразователи питания: источники питания промышленного назначения, электропривода, светодиодные драйверы для уличных LED-светильников, устройства управления нагрузкой, в том числе в трехфазных сетях. Благодаря малому времени переключения и высокому пробивному напряжению, транзистор STP21N90K5 можно использовать в узле защиты оборудования от случайного попадания высокого сетевого напряжения величиной до 900 В.
Одна из особенностей нового транзистора – наличие защитного диода (стабилитрона), который ограничивает возможные импульсные и постоянные превышения напряжения в цепи затвор-исток. Этот ограничитель позволяет очень эффективно и совсем недорого повысить надежность устройства, в том числе от электростатических разрядов. Теперь нет необходимости устанавливать подобную защиту снаружи транзистора.
Компания STMicroelectronics постоянно совершенствует технологии производства транзисторов для мощных высоковольтных и низковольтных приложений и, в настоящий момент, является одним из лидеров в области силовой электроники. По сравнению с транзисторами других производителей (для одного и того же эшелона напряжений и токов), использование STP21N90K5 может дать значительный экономический выигрыш и позволит сократить динамические и статические потери, что в свою очередь уменьшит габариты и повысит эксплуатационные характеристики конечного устройства.
|
